Модули памяти
№: 446035
Kingston® предлагает сверхнадежный высокопроизводительный модуль памяти ValueRAM DDR4 DIMM 2666MHz PC4-21300 CL19 - 8Gb KVR26N19S8/8 для настольных компьютеров, идеально подходящий тем, кто ищет оптимальное решение среди стандартной памяти. Обладающи...
№: 450962
4 Гб, DDR3, SODIMM. Частота 1333 МГц (PC3 10600). Латентность CL9. Напряжение питания 1.5 В. Количество контактов модуля 204. Размер модуля 0.30 x 6.9 x 3 см, вес 9 г.
№: 188156
Patriot Memory Viper 3 Black PC3-12800 DIMM DDR3 1600MHz CL10 - 16Gb KIT (2x8Gb) PV316G160C0K - это два модуля оперативной памяти DDR3 объемом 8 Гб, работающий на частоте 1600 МГц.
№: 1027777
Суммарный объем памяти: 32 ГБ. Тип памяти: DDR4. Пропускная способность: 32000 Мб/сек. Тактовая частота: 4000 МГц. Форм-фактор RAM: DIMM. Тайминги: 18-22-22-42. Радиатор. Подсветка. Напряжение питания: 1,4 В.
№: 1030136
DDR4, 16 ГБx1 шт., 3200 МГц, PC25600, тайминги: 22-22-22.
№: 1030142
DDR4, 8 ГБx2 шт., 3200 МГц, 16-18-18.
№: 1030143
Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR4. Объём памяти: 32 Гб. Тактовая частота: 3200 МГц. Пропускная способность: 25600 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 16. RAS to CAS Delay (tRCD): 18. Row Precharge Delay (tRP): 18. Поддержка XMP 2.0. Радиатор.
№: 1030276
Тип памяти: DDR5. Емкость: 32 ГБ (16 ГБx2). Проверенная скорость (XMP/EXPO): 6000 МТ/с. Проверенная задержка (XMP/EXPO): 32-38-38-96. Напряжение SPD (по умолчанию): 1,1 В. Особенности: поддержка профиля AMD EXPO. Подсветка. Радиатор.
№: 1030786
Суммарный объем памяти всего комплекта 32 ГБ. Тип DDR5. Форм-фактор памяти DIMM. Тактовая частота 7200 МГц. CAS Latency (CL) 34. RAS to CAS Delay (tRCD) 46. Row Precharge Delay (tRP) 46. Напряжение питания 1.4 В. RGB подсветка.
№: 1030790
Суммарный объем памяти всего комплекта 32 ГБ. Тип DDR5. Форм-фактор памяти DIMM. Тактовая частота 6400 МГц. CAS Latency (CL) 32. RAS to CAS Delay (tRCD) 39. Row Precharge Delay (tRP) 39. Напряжение питания 1.4 В.
№: 1030797
Суммарный объем памяти всего комплекта 32 ГБ. Тип DDR5. Форм-фактор памяти DIMM. Тактовая частота 6400 МГц. CAS Latency (CL) 32. RAS to CAS Delay (tRCD) 39. Row Precharge Delay (tRP) 39. Напряжение питания 1.4 В. RGB подсветка.
№: 1031009
DDR5, 16 ГБx2 шт, 8000 МГц, 38-48-48-84.
№: 1031011
64 Гб, 2 модуля DDR4, 25600 Мб/с, CL16, 1.35 В, радиатор.
№: 1031012
48 Гб, 2 модуля DDR5, 60800 Мб/с, CL36-48-48-84, 1.45 В, XMP-профиль, радиатор, подсветка.
№: 1031013
32 Гб, 2 модуля DDR5, 60800 Мб/с, CL36-48-48-84, 1,45 В, XMP-профиль, радиатор.
№: 1031014
DDR4, 16 ГБx1 шт, 3200 МГц, 16-18-18-39.
№: 1031015
Объем: 8 Гб. Тип памяти: DDR4. Форм-фактор: DIMM 288-контактный. Тактовая частота: 3200 МГц. Пропускная способность: 25600 Мб/с. Латентность: CL16.