Автозаводская
Модули памяти
№: 945643
8 Гб, DDR4, DIMM, 2400 МГц (PC4 19200). Латентность: CL17. Напряжение питания: 1.2 В. Количество чипов модуля: 8. Количество контактов модуля: 288. Размеры: 134x31x3 мм. Небуферизованная. nonECC.
№: 943563
Форм-фактор: SO-DIMM. Тип памяти: DDR4. Объём памяти: 8 Гб. Тактовая частота: 3200 МГц. Пропускная способность: 25600 Мб/сек. Тайминги: CAS Latency (CL): 22. Напряжение питания: 1,2 В.
№: 992677
DDR5, 32 ГБx1 шт, 5600 МГц, 36-38-38.
№: 992674
DDR5, 32 ГБx2 шт, 5600 МГц, 40-40-40-76.
№: 962856
Тип памяти: DDR5. Форм-фактор: DIMM. Суммарный объем памяти: 32 ГБ. Тактовая частота: 5200 МГц. Профили Intel XMP: 5200 МГц (40-40-40). CAS Latency (CL): 40. RAS to CAS Delay (tRCD): 40. Row Precharge Delay (tRP): 40. Радиатор. Подсветка RGB.
№: 986372
№: 980982
№: 980974
№: 781411
16 Гб (1 х 16 Гб). DIMM, DDR4, 3000 МГц (PC4 24000). Тайминги: 16 18 18 36. Напряжение питания: 1.35 В. 288 контактов. Поддержка XMP 2.0. Небуферизованная. nonECC. Алюминиевый радиатор.
№: 774684
16 Гб (1 х 16 Гб). SODIMM, DDR4, 3200 МГц (PC4 25600). Тайминги: 22 22 22 52. Напряжение питания: 1.2 В. 260 контактов. Двухранговая. Небуферизованная. nonECC.
№: 752019
64 Гб (2 х 32 Гб). DIMM, DDR4, 3200 МГц (PC4 25600). Тайминги: 16 18 18 36. Напряжение питания: 1.35 В. Количество контактов модуля: 288. Небуферизованная. nonECC. Алюминиевый радиатор. Поддержка XMP 2.0.
№: 751989
32 Гб (1 х 32 Гб). SODIMM, DDR4, 2400 МГц (PC4 19200). Тайминги: 15 15 15 35. Напряжение питания: 1.2 В. Поддержка XMP 2.0. 260 контактов. Небуферизованная. nonECC.
№: 542474
Patriot Memory DDR4 SO-DIMM - представляет собой модуль оперативной памяти DDR4. Данная модель может похвастаться отличной пропускной способностью 19200 мб/сек при тактовой частоте 2400 МГц. Такие параметры позволят с комфортом работать в ресурсоемки...
№: 720772
Форм-фактор: SO-DIMM. Тип памяти: DDR-4. Объём памяти: 8 Гб. Тактовая частота: 2666 МГц. Пропускная способность: 21300 Мб/сек. Тайминги: CAS Latency (CL): 19, RAS to CAS Delay (tRCD): 19, Row Precharge Delay (tRP): 19. Напряжение питания: 1,2 В.
№: 699452
DDR3L, объем 8 ГБ, частота 1600 МГц, пропускная способность PC12800. CAS Latency (CL) 11, RAS to CAS Delay (tRCD) 11, Row Precharge Delay (tRP) 11, Activate to Precharge Delay (tRAS) 30. Количество чипов 16, двухсторонняя установка.
№: 671874
№: 600648
Оперативная память AMD Radeon R7 Performance Series [R748G2606U2S] 8 ГБ разработана для игровых компьютеров. Она выполнена с применением лучших элементов.