Модули памяти
Тип памяти DDR4. Форм-фактор памяти DIMM. Суммарный объем 8 ГБ. Тактовая частота 3200 МГц. Наличие радиатора. Напряжение питания 1.35 В. Тайминги: CAS Latency (CL): 16, RAS to CAS Delay (tRCD): 20, Row Precharge Delay (tRP): 20 Activate to
Объем одного модуля: 8 Гб. Тип памяти: DDR4. Форм-фактор: DIMM 288-контактный. Тактовая частота: 3200 МГц. Пропускная способность: 25600 Мб/с. Латентность: CL21. Напряжение питания: 1,2 В.
Тип памяти DDR4 (288pin) DIMM. Емкость 16GB (2 планки по 8GB). Частота 2666MHz. Тайминги (CAS Latency) CL16. Контроль четности Non-ECC. Буферизация Unbuffered. Ранки Single Rank (1R). Архитектура x8. Напряжение 1.2V.
DIMM, DDR-4. Тактовая частота 3200 МГц. Пропускная способность 25600 Мб/с. Напряжение питания 1.35 В. Поддержка XMP. Пассивная система охлаждения.
Тип памяти DDR4 (288pin) DIMM. Емкость 32GB (2 планки по 16GB). Частота 3600MHz. Тайминги (CAS Latency) CL18. Контроль четности Non-ECC. Буферизация Unbuffered. Ранки Single Rank (1R). Архитектура x8. Напряжение 1.2V / 1.35V.
DDR4. DIMM. 3200 МГц. PC25600. Профили Intel XMP 3000 МГц (16-19-19), 3200 МГц (16-20-20). CL 16. tRCD 20. tRP 20. Радиатор. Высота 34.1 мм. Напряжение 1.35 В.
Тип памяти DDR4 (288pin) DIMM. Емкость 64GB (2 планки по 32GB). Частота 3600MHz. Тайминги (CAS Latency) CL18. Контроль четности Non-ECC. Буферизация Unbuffered. Ранки Dual Rank (2R). Архитектура x8. Напряжение 1.2V / 1.35V.
32 Гб (2 х 16 Гб), DIMM, DDR4, 3200 МГц (PC4 25600). Тайминги: 18.22.22.42. Напряжение питания: 1.35 В. Количество контактов модуля: 288. Поддержка XMP 2.0. Алюминиевый радиатор. Небуферизованная. nonECC.
32 Гб (2 х 16 Гб). DIMM, DDR4, 3600 МГц (PC4 28800). Тайминги: 18 22 22 42. Напряжение питания: 1.35 В. 288 контактов. Поддержка XMP 2.0. Небуферизованная. nonECC. Алюминиевый радиатор.
32 Гб (2 х 16 Гб). DIMM, DDR4, 3200 МГц (PC4 25600). Тайминги: 16-20-20-40. Напряжение питания: 1.35 В. Количество контактов модуля: 288. Небуферизованная. nonECC. Алюминиевый радиатор. Поддержка XMP 2.0.
Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR-4. Объём памяти: 16384 Мб. Количество модулей в комплекте: 2. Тактовая частота: 3600 МГц. Пропускная способность: 28800 Мб/сек. Напряжение питания: 1,35 В. Система охлаждения: пассивная (радиатор).
Форм-фактор: UDIMM. Тип памяти: DDR-4. Объём памяти: 32 Гб. Тактовая частота: 3200 МГц. Пропускная способность: 25600 Мб/сек. Тайминги: CAS Latency (CL): 16, RAS to CAS Delay (tRCD): 18, Row Precharge Delay (tRP): 18, Activate to Precharge Delay (tRA...
Форм-фактор: SO-DIMM. Тип памяти: DDR-4. Объём памяти: 8 Гб. Тактовая частота: 2666 МГц. Пропускная способность: 21300 Мб/сек. Тайминги: CAS Latency (CL): 19, RAS to CAS Delay (tRCD): 19, Row Precharge Delay (tRP): 19. Напряжение питания: 1,2 В.
Фирма Patriot зарекомендовала себя, как надёжная и востребованная торговая марка. Модель оперативной памяти Patriot DDR4 – лучший вариант для увеличения продуктивной работы вашего персонального компьютера. При желании всегда можно выбрать несколько ...
16 Гб, SODIMM, DDR4, 2666 МГц. Латентность: CL9. Напряжение питания: 1.2 В. Количество контактов модуля: 260. Двухранговая (dual rank). Небуферизованная. nonECC.