Модули памяти
№: 863496
Тип памяти DDR4 (288pin) DIMM. Емкость 8. Частота 3200MHz. Тайминги (CAS Latency) CL16. Контроль четности Non-ECC. Буферизация Unbuffered. Ранки Single Rank (1R). Архитектура x8. Напряжение 1.2V / 1.35V.
№: 983191
№: 863482
DIMM, DDR-4. Тактовая частота 3200 МГц. Пропускная способность 25600 Мб/с. Напряжение питания 1.35 В.
№: 774033
16 Гб (2 х 8 Гб). DIMM, DDR4, 3600 МГц (PC4 28800). Тайминги: 18 22 22 42. Напряжение питания: 1.35 В. 288 контактов. Поддержка XMP 2.0. Небуферизованная. nonECC. Алюминиевый радиатор.
№: 775513
4 Гб (1 х 4 Гб). DIMM, DDR3, 1333 МГц (PC3 10600). Латентность: CL9. Напряжение питания: 1.5 В. 240 контактов. Двухранговая. Небуферизованная. nonECC.
№: 735829
Форм-фактор: SO-DIMM. Тип памяти: DDR-4. Объём памяти: 4 Гб. Тактовая частота: 2666 МГц. Пропускная способность: 21300 Мб/сек. Тайминги: CAS Latency (CL): 19, RAS to CAS Delay (tRCD): 19, Row Precharge Delay (tRP): 19. Activate to Precharge Delay (tR...
№: 1030137
Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR5. Объём памяти: 16 Гб. Тактовая частота: 5600 МГц. Пропускная способность: 44800 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 46. RAS to CAS Delay (tRCD): 45. Row Precharge Delay (tRP): 45. Activate to Precharge Delay (tRAS): ...
№: 1030140
Форм-фактор: SO-DIMM. Тип памяти: DDR5. Объём памяти: 16 Гб. Тактовая частота: 5600 МГц. Пропускная способность: 44800 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 46. RAS to CAS Delay (tRCD): 45. Row Precharge Delay (tRP): 45.
№: 1030795
Суммарный объем памяти всего комплекта 16 ГБ. Тип DDR4. Форм-фактор памяти DIMM. Тактовая частота 4133 МГц. CAS Latency (CL) 19. RAS to CAS Delay (tRCD) 23. Row Precharge Delay (tRP) 23. Напряжение питания 1.4 В. RGB подсветка.
№: 1031016
DDR4, 8 ГБx1 шт, 2400 МГц, 16-16-16.
№: 1032807
16 Гб (1х16 Гб), DIMM, DDR4, 3200 МГц (PC4 25600). Поддержка XMP 2.0. Тайминги: 16.20.20. Напряжение питания: 1.35 В. Плотность DRAM: 16Gbit. Количество контактов модуля: 288. Размеры: 133,35 x 43 x 8,2 мм. Подсветка: RGB.
№: 1032809
8 Гб (1х8 Гб), DIMM, DDR4, 3600 МГц (PC4 28800). Поддержка XMP 2.0. Тайминги: 16.20.20. Напряжение питания: 1.35 В. Количество контактов модуля: 288. Размеры: 133,35 x 41,98 x 8,29 мм.
Тип памяти DDR4.Суммарный объем памяти всего комплекта 8 ГБ.Объем одного модуля памяти 8 ГБ.Частота 3200 МГц.CAS Latency (CL) 22.Напряжение питания 1.2 В.
№: 1017205
32 Гб, DDR5, DIMM. Частота: 4800 МГц (PC5 38400). Латентность: CL40. Тайминги: 40.39.39. Напряжение питания: 1.1 В. Тип чипа: X8. Ранки: 2R. Количество контактов модуля: 288. Функция OnDie ECC.
16 Гб (2х8 Гб), DIMM, DDR4, 4800 МГц (PC4 38400). Поддержка XMP 2.0. Тайминги: 19.26.26. Напряжение питания: 1.5 В. Количество контактов модуля: 288. Размеры: 133,35 мм x 41,98 мм x 8,29 мм.