Модули памяти
№: 991299
DDR5, 16 ГБx2 шт., 5600 МГц, 36-36-36-70.
№: 992669
DDR5, 16 ГБx2 шт, 7200 МГц, 34-42-42-84.
№: 980978
№: 983196
№: 983197
№: 1010811
Объем: 32768 МБ. Частота: 3200МГц. Латентность: CL16. Форм-фактор: DIMM, 288-pin.
№: 905065
32 Гб, DIMM, DDR4, 3200 МГц (PC4 25600). Тайминги: 22.22.22. Латентность: CL22. Напряжение питания: 1.2 В. Количество контактов модуля: 288. Двухранговая (Dual rank). Небуферизованная. nonECC.
№: 905068
16 Гб (2х8 Гб), SODIMM, DDR4, 2666 МГц (PC4 21300). Латентность CL15. Тайминги: 15.17.17. Напряжение питания: 1.2 В. Количество контактов модуля: 260. Высота: 30 мм. Небуферизованная. nonECC. Поддержка XMP 2.0.
№: 908060
32 Гб, SODIMM, DDR4, 3200 МГц (PC4 25600). Тайминги: 22.22.22.52. Напряжение питания: 1.2 В. Количество контактов модуля: 260. Двухранговая (Dual rank). Небуферизованная. nonECC.
№: 908061
8 Гб, SODIMM, DDR4, 3200 МГц (PC4 25600). Тайминги: 22.22.22.52. Напряжение питания: 1.2 В. Одноранговая (Single Rank). Количество контактов модуля: 260. Небуферизованная. nonECC.
№: 913464
Тип памяти DDR4. Форм-фактор памяти DIMM. Суммарный объем 8 ГБ. Тактовая частота 2666 МГц. Наличие радиатора. Напряжение питания 1.35 В. Тайминги: CAS Latency (CL): 19, RAS to CAS Delay (tRCD): 19, Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Prech
№: 945495
№: 948525
№: 1002259
Форм-фактор: DIMM. Тип: DDR5. Объём: 32 Гб. Тактовая частота: 6600 МГц. Пропускная способность: 52800 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 34. RAS to CAS Delay (tRCD): 40. Row Precharge Delay (tRP): 40. Activate to Precharge Delay (tRAS): 105. XMP 3.0. ...
№: 883834
№: 863476
DIMM, DDR-4. Тактовая частота 3733 МГц. Пропускная способность 29800 Мб/с. CAS Latency (CL) 19; RAS to CAS Delay (tRCD) 23; Row Precharge Delay (tRP) 23. Напряжение питания 1.35 В. Поддержка XMP. Пассивная система охлаждения.