Модули памяти
16 Гб, SODIMM, DDR5, 5600 МГц (PC5 44800). Латентность: CL40. Напряжение питания: 1.1 В. Тип чипа: 2G x 8. Количество чипов памяти: 8. Количество контактов модуля: 262. Одноранговая (Single Rank).
16 Гб, SODIMM, DDR5, 4800 МГц (PC5 38400). Латентность: CL40. Напряжение питания: 1.1 В. Тип чипа: 2G x 8. Количество чипов памяти: 8. Количество контактов модуля: 262. Одноранговая (Single Rank).
16 Гб (2х8 Гб), DIMM, DDR4, 3200 МГц (PC4 25600). Тайминги: 16.20.20.40. Напряжение питания: 1.35 В. Количество контактов модуля: 288. Небуферизованная. Поддержка XMP 2.0. Алюминиевый радиатор. Синхронизируемая RGB подсветка.
16 Гб (2х8 Гб), DIMM, DDR4, 2666 МГц (PC4 21300). Тайминги: 19.19.19.43. Напряжение питания: 1.2 В. Количество контактов модуля: 288. Небуферизованная. Поддержка XMP 2.0. Алюминиевый радиатор. Синхронизируемая RGB подсветка.