Модули памяти
Форм-фактор: DIMM. Тип: DDR5. Объём: 32 Гб. Тактовая частота: 6000 МГц. Пропускная способность: 48000 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 36. RAS to CAS Delay (tRCD): 38. Row Precharge Delay (tRP): 38. Поддержка XMP: XMP 3.0, EXPO. Радиатор.
Форм-фактор: DIMM. Тип: DDR5. Объём: 32 Гб. Тактовая частота: 5600 МГц. Пропускная способность: 44800 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 36. RAS to CAS Delay (tRCD): 38. Row Precharge Delay (tRP): 38. Поддержка XMP: 3.0, EXPO. Радиатор. Подсветка.
32 Гб (2х16 Гб), DIMM, DDR5, 5600 МГц (PC5 44800). Тайминги: 36.38.38. Напряжение питания: 1.25 В. Количество контактов модуля: 288. Размеры модуля: 133.35х34.9х6.62 мм. Поддержка OnDie ECC. Поддержка EXPO v1.0, XMP 3.0.
Форм-фактор: DIMM. Тип: DDR5. Объём: 16 Гб. Тактовая частота: 6000 МГц. Пропускная способность: 48000 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 36. RAS to CAS Delay (tRCD): 38. Row Precharge Delay (tRP): 38. Поддержка XMP: XMP 3.0, EXPO. Радиатор. Подсветка.
16 Гб (2х8 Гб), DIMM, DDR5, 6000 МГц (PC5 48000). Тайминги: 36.38.38. Напряжение питания: 1.35 В. Количество контактов модуля: 288. Размеры модуля: 133.35х34.9х6.62 мм. Поддержка OnDie ECC. Поддержка EXPO v1.0, XMP 3.0.
Форм-фактор: DIMM. Тип: DDR5. Объём: 16 Гб. Т/ч: 5200 МГц. Пропускная способность: 41600 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 36. RAS to CAS Delay (tRCD): 40. Row Precharge Delay (tRP): 40. Поддержка XMP: 3.0, EXPO. Радиатор. Подсветка.
16 Гб (2х8 Гб), DIMM, DDR5, 5200 МГц (PC5 41600). Тайминги: 36.40.40. Напряжение питания: 1.25 В. Количество контактов модуля: 288. Размеры модуля: 133.35х34.9х6.62 мм. Поддержка OnDie ECC. Поддержка EXPO v1.0, XMP 3.0.
Объем памяти: 32 ГБ. Частота памяти: 3200 МГц. Тип памяти: DDR4 SDRAM. Эффективная пропускная способность: 25600 МБ/с. Схема таймингов памяти: CL16-18-18 Количество планок: 2. Охлаждение: теплораспределитель асимметричного дизайна с RGB-подсветкой.
DDR5, 8 ГБx2 шт., 6000 МГц, 40-40-40.
Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR5. Объём: 32 Гб. Тактовая частота: 6000 МГц. Пропускная способность: 48000 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 36. RAS to CAS Delay (tRCD): 36. Row Precharge Delay (tRP): 36. Activate to Precharge Delay (tRAS): 96. XMP...
Для ноутбуков. Количество планок: 1. Форм-фактор: SO-DIMM. Тип памяти: DDR5 SDRAM. Объем памяти: 16 ГБ. Частота памяти: 4800 МГц. Эффективная пропускная способность: 38400 МБ/с. Схема таймингов памяти: CL34-34-34-76. Напряжение питания: 1,1 В.
DDR4, 8 ГБx2 шт, 4000 МГц, 18-22-22-42.
Суммарный объем памяти: 32 ГБ. Тип памяти: DDR4. Пропускная способность: 32000 Мб/с. Тактовая частота: 4000 МГц. Форм-фактор RAM: DIMM. Радиатор. CAS Latency (CL): 18 тактов. Тайминги: 18.
Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR5. Объём памяти: 64 Гб. Тактовая частота: 6400 МГц. Пропускная способность: 51200 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 32, RAS to CAS Delay (tRCD): 39, Row Precharge Delay (tRP): 39, Activate to Precharge Delay (tRAS): ...
Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR5. Объём памяти: 32 Гб. Тактовая частота: 6800 МГц. Пропускная способность: 54400 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 34, RAS to CAS Delay (tRCD): 45, Row Precharge Delay (tRP): 45, Activate to Precharge Delay (tRAS): ...
16 Гб (2х8 Гб), DIMM, DDR4, 3600 МГц (PC4 28800). Поддержка XMP 2.0. Тайминги: 16.20.20. Напряжение питания: 1.35 В. Количество контактов модуля: 288. Размеры: 133,35 мм x 41,98 мм x 8,29 мм.
16 Гб, SODIMM, DDR4, 2666 МГц (PC4 21300). Латентность CL15. Тайминги: 15.17.17. Напряжение питания: 1.2 В. Количество контактов модуля: 260. Высота: 30 мм. Поддержка XMP 2.0.