Твердотельный накопитель имеет объем 1Тб и выполнен в форм-факторе M.2. Данный накопитель разработан на основе технологии 3D NAND и подходит для высокоскоростных вычислительных систем. Контроллер оптимизирован для скорости PCIe 4.0, он обеспечивает с

Емкость 1 ТБ. Тип памяти V NAND 3bit MLC. Интерфейс PCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.3. Контроллер Phoenix. Буферная память 1ГБ DDR4 SDRAM. Последовательное чтение/запись до 3500/3300 MБ/с. TBW 600. TRIM. S.M.A.R.T. GC (сборка мусора). Шифрование.

Твердотельный накопитель Kingston A400 значительно повышает скорость работы системы, обеспечивая более высокую скорость запуска, загрузки и передачи данных по сравнению с механическими жесткими дисками. Этот SSD создан на базе контроллера последнего ...

Твердотельный накопитель Kingston A400 значительно повышает скорость работы системы, обеспечивая более высокую скорость запуска, загрузки и передачи данных по сравнению с механическими жесткими дисками. Этот SSD создан на базе контроллера последнего ...

Форм-фактор: M.2 2280. Интерфейс: PCIe 4.0×4 NVMe. Емкость: 1 ТБ. Последовательное чтение/запись: 3500/2100 МБ/с. Ресурс (Суммарное число записываемых байтов): 320 ТБ.

Емкость 1 ТБ. Форм-фактор M.2 (2280). Интерфейс PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.4. Память Samsung V-NAND 3-bit MLC. Контроллер Samsung Pablo Controller. Скорость чтения/записи до 3500/3000 MБ/с. TBW 600 Тб. MTBF 1.5 млн. часов.

Объем 1 Тб. Форм-фактор: 2.5 дюйма.  Скорость последовательного чтения до 560 MБ/с, последовательной записи до 530 MБ/с. SATA 6 Гбит/c интерфейс, совместимый с SATA 3 Гбит/c и SATA 1,5 Гбит/c интерфейсами. Samsung MKX контроллер. Поддержка

Емкость 500 Б. Форм-фактор M.2 (2280). Интерфейс PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.4. Память Samsung V-NAND 3-bit MLC. Контроллер Samsung Pablo Controller. Скорость чтения/записи до 3100/2600 MБ/с. TBW 300 Тб. MTBF 1.5 млн. часов.

Внутренний. Объем: 2000 ГБ. Форм-фактор: M.2 (2280). Интерфейсы: PCIe Gen 4.0×4, NVMe 1.3c. Основная память: Samsung V-NAND 3-bit MLC. Контроллер: Samsung Elpis Controller. Последовательное чтение/запись: до 7000/5100  МБ/сек. TRIM. S.M.A.R.T.

Объем: 1000 Гб. Форм-фактор: 2,5″. Интерфейс: SATA 6 Гбит/cек. Флэш-память: Samsung V-NAND 3bit MLC. Поддержка TRIM, S.M.A.R.T. AES 256-битное шифрование. Скорость последовательного чтения/записи: до 560/530 MБ/сек.

SATA, чтение: 545 Мбайт/сек, запись: 545 Мбайт/сек, 3D NAND 3 бит TLC.

Объем 500 Гб. Форм-фактор 2.5". Последовательное чтение/запись до 560/530 MБ/с. Интерфейс SATA 6 Гбит/c. Память V-NAND 3bit MLC. MGX контроллер. Буферная память 512 МБ Low Power DDR4 SDRAM. TBW 300 Тб.

Накопитель использует новейшую технологию V-NAND и оптимизированную прошивку. Он максимально использует технологию NVMe. Накопители емкостью до 2TБ имеют рабочий ресурс по записи до 1200 TBW.

Твердотельный накопитель Kingston A400 значительно повышает скорость работы системы, обеспечивая более высокую скорость запуска, загрузки и передачи данных по сравнению с механическими жесткими дисками. Этот SSD создан на базе контроллера последнего ...

Твердотельный накопитель Samsung 970 EVO обеспечивает более высокие скорости передачи данных по сравнению с предшествующими моделями, а также более высокий уровень надежности. Данный накопитель позволит в разы увеличить скорость загрузки приложений и...

Емкость 1024 Гб. Форм-фактор M.2 2280. Интерфейс PCIe 4.0 NVMe M.2. Последовательное чтение 7000 МБ/с / запись 6000 МБ/с. Память NAND 3D TLC. TBW 800 Тб. MTBF 1.8 млн. часов. Низкопрофильный графеновый алюминиевый теплоотвод.

120Gb - AMD Radeon R5 R5SL120G - представляет собой новейшую модель твердотельного накопителя от всемирно известной компании, которая способствовала популяризации таких носителей. В ней реализован интерфейс SATA  обеспечивается сверхвысокая скорость ...