Твердотельный накопитель Kingston A400 значительно повышает скорость работы системы, обеспечивая более высокую скорость запуска, загрузки и передачи данных по сравнению с механическими жесткими дисками. Этот SSD создан на базе контроллера п...

Объем 500 Гб. Форм-фактор 2.5". Последовательное чтение/запись до 560/530 MБ/с. Интерфейс SATA 6 Гбит/c. Память V-NAND 3bit MLC. MGX контроллер. Буферная память 512 МБ Low Power DDR4 SDRAM. TBW 300 Тб.

Объем: 1000 Гб. Форм-фактор: 2,5″. Интерфейс: SATA 6 Гбит/cек. Флэш-память: Samsung V-NAND 3bit MLC. Поддержка TRIM, S.M.A.R.T. AES 256-битное шифрование. Скорость последовательного чтения/записи: до 560/530 MБ/сек.

Емкость 500 Б. Форм-фактор M.2 (2280). Интерфейс PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.4. Память Samsung V-NAND 3-bit MLC. Контроллер Samsung Pablo Controller. Скорость чтения/записи до 3100/2600 MБ/с. TBW 300 Тб. MTBF 1.5 млн. часов.

Объем 1 Тб. Форм-фактор: 2.5 дюйма.  Скорость последовательного чтения до 560 MБ/с, последовательной записи до 530 MБ/с. SATA 6 Гбит/c интерфейс, совместимый с SATA 3 Гбит/c и SATA 1,5 Гбит/c интерфейсами. Samsung M...

Емкость 1 ТБ. Форм-фактор M.2 (2280). Интерфейс PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.4. Память Samsung V-NAND 3-bit MLC. Контроллер Samsung Pablo Controller. Скорость чтения/записи до 3500/3000 MБ/с. TBW 600 Тб. MTBF 1.5 млн. часов.

Client PCsClient PCs. Производительность 500 ГБ (1ГБ=1 миллиард IDEMA). Форм-фактор M.2 (2280). Интерфейс PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 1.3c. Основная память Samsung V-NAND 3-bit MLC. TRIM. S.M.A.R.T. Размеры (ШxВxГ) 80,15 x 22,15 x 2,38 мм.

Накопитель использует новейшую технологию V-NAND и оптимизированную прошивку. Он максимально использует технологию NVMe. Накопители емкостью до 2TБ имеют рабочий ресурс по записи до 1200 TBW.

Емкость 1 ТБ. Тип памяти V NAND 3bit MLC. Интерфейс PCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.3. Контроллер Phoenix. Буферная память 1ГБ DDR4 SDRAM. Последовательное чтение/запись до 3500/3300 MБ/с. TBW 600. TRIM. S.M.A.R.T. GC (сборка мусора). Шифрование.

Объем: 250 Гб. Форм-фактор: 2,5″. Интерфейс: SATA 6 Гбит/cек. Флэш-память: Samsung V-NAND 3bit MLC. Поддержка TRIM, S.M.A.R.T. AES 256-битное шифрование. Скорость последовательного чтения/записи: до 560/530 MБ/сек.

Объем: 2000 Гб. Форм-фактор: 2,5″. Интерфейс: SATA 6 Гбит/cек. Флэш-память: Samsung V-NAND 3bit MLC. Поддержка TRIM, S.M.A.R.T. AES 256-битное шифрование. Скорость последовательного чтения/записи: до 560/530 MБ/сек.

Форм-фактор: M.2 2280. Интерфейс: PCIe 4.0×4 NVMe. Емкость: 1 ТБ. Последовательное чтение/запись: 3500/2100 МБ/с. Ресурс (Суммарное число записываемых байтов): 320 ТБ.

Объем 2 Тб. Форм-фактор: 2.5 дюйма.  Скорость последовательного чтения до 560 MБ/с, последовательной записи до 530 MБ/с. SATA 6 Гбит/c интерфейс, совместимый с SATA 3 Гбит/c и SATA 1,5 Гбит/c интерфейсами. Samsung M...

Crucial MX500  - это современный твердотельный накопитель для хранения информации. В отличии от жестких дисков SSD использует флеш-память, за счет чего достигаются уникальные скоростные показатели как записи, так и чтения. Данная модель явл...

Форм-фактор: M.2 2280. Интерфейс: PCIe 4.0×4 NVMe. Емкость: 500 ГБ. Последовательное чтение/запись: 3500/2100 МБ/с. Ресурс (Суммарное число записываемых байтов):160 ТБ.

Назначение: внутренний. Форм-фактор: 2.5″. Интерфейс: SATA-III. Объём накопителя: 1000 Гб. Тип флэш-памяти: TLC. Скорость чтения: 530 МБ/сек. Скорость записи: 475 МБ/сек.

SSD. Тип 2.5" SATA накопитель. Объем накопителя  256 ГБ. Структура памяти 3D NAND. Макс скорость  чтения  540 Мбайт/сек. Макс скорость записи  460 Мбайт/сек. Максимальный ресурс записи (TBW)  80 ТБ. Ударостойкость  ...