Модули памяти
№: 983197
№: 621840
Увеличьте производительность и отклик системы в любых ресурсоёмких приложениях с модулем памяти Patriot. Данный модуль предназначен для систем c поддержкой DDR4 памяти. Рабочий объем 8 Гигабайт, тактовая частота составляет 2666 МГц, а пропускная спос...
№: 632045
Patriot Memory DDR4 - это оперативная память, разработанная специально для игроков и энтузиастов, для которых важна исключительная производительность и строгий внешний вид. Модули предназначены для работы в настольных ПК на платформах Intel и AMD. По...
№: 437904
Если вы хотите собрать производительный мощный персональный компьютер, то особое внимание необходимо уделить выбору оперативной памяти. PATRIOT DDR3 - это планка оперативной памяти большого объема типа DDR3. Благодаря внедрению в данной модели ряда п...
№: 671869
Тип памяти: DDR4. Форм-фактор: SO-DIMM. Объем памяти: 8 Гб (1 x 8 Гб). Частота: 2666 МГц. Пропускная способность: PC4-21300. Тайминги: 19-19-19-43. Латентность: CL19. Напряжение питания: 1.2 В.
№: 699303
8 Гб. DIMM, DDR3, 1600 МГц (PC3 12800). Латентность: CL11. Напряжение питания: 1.5 В. Количество контактов модуля: 240.
№: 699443
4 Гб. SODIMM, DDR3, 1333 МГц (PC3 10600). Латентность: CL9. Напряжение питания: 1.5 В. Количество контактов модуля: 204.
№: 699462
8 Гб. SODIMM, DDR3, 1333 МГц (PC3 10660). Латентность: CL9. Напряжение питания: 1.5 В. Количество контактов модуля: 204.
№: 808240
Форм-фактор памяти: DIMM. Общий объем 64 Гб. Тактовая частота 3200 МГц. CAS-латентность CL18. Схема таймингов памяти: 18-22-22-42. Рабочее напряжение 1.35 В. RGB подсветка.
№: 813779
8 Гб. DIMM, DDR3, 1333 МГц (PC3 10600). Латентность: CL9. Напряжение питания: 1.5 В. Количество контактов модуля: 240. Тип чипа: 512*8. Двухранговая (dual rank).
№: 708384
Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR-4. Объём памяти: 16384 Мб. Тактовая частота: 3000 МГц. Пропускная способность: 24000 Мб/сек. Тайминги: CAS Latency (CL): 16, RAS to CAS Delay (tRCD): 18, Row Precharge Delay (tRP): 18, Activate to Precharge Delay (t...
№: 714800
№: 719090
Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR-4. Объём памяти: 8 Гб. Тактовая частота: 3200 МГц. Пропускная способность: 25600 Мб/сек. Тайминги: CAS Latency (CL): 16, RAS to CAS Delay (tRCD): 16, Row Precharge Delay (tRP): 16, Activate to Precharge Delay (tRAS)...
№: 722536
16 Гб (1 х 16 Гб). DDR4, DIMM, 3200 МГц (PC4 25600). Латентность: CL16. Тайминги: 16 18 18 36. Напряжение питания: 1.35В. Количество контактов модуля: 288. Поддержка XMP 2.0. nonECC. Unbuffered. Алюминиевый радиатор.
№: 733292
8 Гб, DIMM, DDR4, 2400 МГц (PC4 19200). Латентность: CL17. Напряжение питания: 1.2 В. Количество контактов модуля: 288. Небуферизованная. nonECC.
№: 737680
32 Гб (1 х 32 Гб). DIMM, DDR4, 3200 МГц (PC4 25600). Тайминги: 16 18 18 36. Напряжение питания: 1.35 В. 288 контактов. Поддержка XMP 2.0. Небуферизованная. nonECC. Алюминиевый радиатор.
№: 774688
8 Гб (1 х 8 ГБ). DDR4, DIMM, 3200 МГц (PC4 25600). Тайминги: 22 22 22 52. Напряжение питания: 1.2В. Количество контактов модуля: 288. Одноранговая. Небуферизованная. nonECC.