Твердотельный накопитель Kingston A400 значительно повышает скорость работы системы, обеспечивая более высокую скорость запуска, загрузки и передачи данных по сравнению с механическими жесткими дисками. Этот SSD создан на базе контроллера последнего ...

Форм-фактор: M.2 2280. Интерфейс: PCIe 4.0×4 NVMe. Емкость: 1 ТБ. Последовательное чтение/запись: 3500/2100 МБ/с. Ресурс (Суммарное число записываемых байтов): 320 ТБ.

Объем: 1000 Гб. Форм-фактор: 2,5″. Интерфейс: SATA 6 Гбит/cек. Флэш-память: Samsung V-NAND 3bit MLC. Поддержка TRIM, S.M.A.R.T. AES 256-битное шифрование. Скорость последовательного чтения/записи: до 560/530 MБ/сек.

Емкость 1 ТБ. Форм-фактор M.2 (2280). Интерфейс PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.4. Память Samsung V-NAND 3-bit MLC. Контроллер Samsung Pablo Controller. Скорость чтения/записи до 3500/3000 MБ/с. TBW 600 Тб. MTBF 1.5 млн. часов.

Твердотельный накопитель имеет объем 1Тб и выполнен в форм-факторе M.2. Данный накопитель разработан на основе технологии 3D NAND и подходит для высокоскоростных вычислительных систем. Контроллер оптимизирован для скорости PCIe 4.0, он обеспечивает с

Емкость 500 Б. Форм-фактор M.2 (2280). Интерфейс PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.4. Память Samsung V-NAND 3-bit MLC. Контроллер Samsung Pablo Controller. Скорость чтения/записи до 3100/2600 MБ/с. TBW 300 Тб. MTBF 1.5 млн. часов.

Твердотельный накопитель Kingston A400 значительно повышает скорость работы системы, обеспечивая более высокую скорость запуска, загрузки и передачи данных по сравнению с механическими жесткими дисками. Этот SSD создан на базе контроллера последнего ...

Емкость 1 ТБ. Тип памяти V NAND 3bit MLC. Интерфейс PCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.3. Контроллер Phoenix. Буферная память 1ГБ DDR4 SDRAM. Последовательное чтение/запись до 3500/3300 MБ/с. TBW 600. TRIM. S.M.A.R.T. GC (сборка мусора). Шифрование.

Форм-фактор: M.2 2280. Интерфейс: PCIe 4.0×4 NVMe. Емкость: 500 ГБ. Последовательное чтение/запись: 3500/2100 МБ/с. Ресурс (Суммарное число записываемых байтов):160 ТБ.

Client PCsClient PCs. Производительность 500 ГБ (1ГБ=1 миллиард IDEMA). Форм-фактор M.2 (2280). Интерфейс PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 1.3c. Основная память Samsung V-NAND 3-bit MLC. TRIM. S.M.A.R.T. Размеры (ШxВxГ) 80,15 x 22,15 x 2,38 мм.

Суперпредложение!!! Максимально полный комплект: Samsung 870 Evo 1Tb MZ-77E1T0BW с необходимыми аксессуарами. Весь комплект идет с хорошей скидкой!

Внутренний. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI-E 4.0×4. Поддержка NVMe. Объём накопителя: 2000 Гб. Тип флэш-памяти: TLC. Объём кэш памяти: 2048 Мб, Low Power DDR4. Скорость чтения: 7450 МБ/сек. Скорость записи: 6900 МБ/сек.

Внутренний. Объем: 2000 ГБ. Форм-фактор: M.2 (2280). Интерфейсы: PCIe Gen 4.0×4, NVMe 1.3c. Основная память: Samsung V-NAND 3-bit MLC. Контроллер: Samsung Elpis Controller. Последовательное чтение/запись: до 7000/5100  МБ/сек. TRIM. S.M.A.R.T.

Накопитель использует новейшую технологию V-NAND и оптимизированную прошивку. Он максимально использует технологию NVMe. Накопители емкостью до 2TБ имеют рабочий ресурс по записи до 1200 TBW.

Объем: 250 Гб. Форм-фактор: 2,5″. Интерфейс: SATA 6 Гбит/cек. Флэш-память: Samsung V-NAND 3bit MLC. Поддержка TRIM, S.M.A.R.T. AES 256-битное шифрование. Скорость последовательного чтения/записи: до 560/530 MБ/сек.

Внутренний SSD, 2.5", 512 Гб, SATA-III, чтение: 560 Мб/сек, запись: 540 Мб/сек, TLC.

Объём 256 Гб. Форм-фактор 2.5". Интерфейс SATA III 6Гбит/сек. Память 3D TLC. Скорость чтения/записи до 560/540 Мб/с. Наработка на отказ 1.5 млн часов. Макс. ресурс записи 180 TBW.