Автозаводская
Внутренние твердотельные накопители SSD
№: 811685
Объем 500 Гб. Форм-фактор 2.5". Последовательное чтение/запись до 560/530 MБ/с. Интерфейс SATA 6 Гбит/c. Память V-NAND 3bit MLC. MGX контроллер. Буферная память 512 МБ Low Power DDR4 SDRAM. TBW 300 Тб.
№: 391922
Твердотельный накопитель Kingston A400 значительно повышает скорость работы системы, обеспечивая более высокую скорость запуска, загрузки и передачи данных по сравнению с механическими жесткими дисками. Этот SSD создан на базе контроллера последнего ...
№: 811683
Объем: 1000 Гб. Форм-фактор: 2,5″. Интерфейс: SATA 6 Гбит/cек. Флэш-память: Samsung V-NAND 3bit MLC. Поддержка TRIM, S.M.A.R.T. AES 256-битное шифрование. Скорость последовательного чтения/записи: до 560/530 MБ/сек.
№: 963456
Форм-фактор: M.2 2280. Интерфейс: PCIe 4.0×4 NVMe. Емкость: 1 ТБ. Последовательное чтение/запись: 3500/2100 МБ/с. Ресурс (Суммарное число записываемых байтов): 320 ТБ.
№: 827125
Емкость 1 ТБ. Форм-фактор M.2 (2280). Интерфейс PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.4. Память Samsung V-NAND 3-bit MLC. Контроллер Samsung Pablo Controller. Скорость чтения/записи до 3500/3000 MБ/с. TBW 600 Тб. MTBF 1.5 млн. часов.
№: 633009
Емкость 1 ТБ. Тип памяти V NAND 3bit MLC. Интерфейс PCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.3. Контроллер Phoenix. Буферная память 1ГБ DDR4 SDRAM. Последовательное чтение/запись до 3500/3300 MБ/с. TBW 600. TRIM. S.M.A.R.T. GC (сборка мусора). Шифрование.
№: 525864
Твердотельный накопитель Kingston A400 значительно повышает скорость работы системы, обеспечивая более высокую скорость запуска, загрузки и передачи данных по сравнению с механическими жесткими дисками. Этот SSD создан на базе контроллера последнего ...
№: 827124
Емкость 500 Б. Форм-фактор M.2 (2280). Интерфейс PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.4. Память Samsung V-NAND 3-bit MLC. Контроллер Samsung Pablo Controller. Скорость чтения/записи до 3100/2600 MБ/с. TBW 300 Тб. MTBF 1.5 млн. часов.
№: 963455
Форм-фактор: M.2 2280. Интерфейс: PCIe 4.0×4 NVMe. Емкость: 500 ГБ. Последовательное чтение/запись: 3500/2100 МБ/с. Ресурс (Суммарное число записываемых байтов):160 ТБ.
№: 850678
Внутренний. Объем: 2000 ГБ. Форм-фактор: M.2 (2280). Интерфейсы: PCIe Gen 4.0×4, NVMe 1.3c. Основная память: Samsung V-NAND 3-bit MLC. Контроллер: Samsung Elpis Controller. Последовательное чтение/запись: до 7000/5100 МБ/сек. TRIM. S.M.A.R.T.
№: 811687
Объем: 250 Гб. Форм-фактор: 2,5″. Интерфейс: SATA 6 Гбит/cек. Флэш-память: Samsung V-NAND 3bit MLC. Поддержка TRIM, S.M.A.R.T. AES 256-битное шифрование. Скорость последовательного чтения/записи: до 560/530 MБ/сек.
№: 831147
Суперпредложение!!! Максимально полный комплект: Samsung 870 Evo 1Tb MZ-77E1T0BW с необходимыми аксессуарами. Весь комплект идет с хорошей скидкой!
№: 633010
Твердотельный накопитель Samsung 970 EVO обеспечивает более высокие скорости передачи данных по сравнению с предшествующими моделями, а также более высокий уровень надежности. Данный накопитель позволит в разы увеличить скорость загрузки приложений и...
№: 1009136
Тип: SSD. Форм-фактор: M.2 Type 2280 M key. Тип флеш-памяти: V-NAND 3bit MLC. Объем SSD: 1 ТБ. Максимальная скорость чтения до: 7450 МБ/сек. Максимальная скорость записи до: 6900 МБ/сек. Интерфейс подключения: PCI-Express 4.0 x 4. Поддержка ОС: любые...
№: 699123
Внутренний SSD, форм-фактор: 2,5″, объем: 256 Гб, интерфейс: SATA-III, контроллер: SM2259, скорость чтения: 550 Мб/сек, скорость записи: 500 Мб/сек, флеш-память: TLC.
№: 1025762
PCIe 4.0 NVMe для любителей компьютерных и консольных игр. Скорость последовательного чтения/записи до 7450/6900 МБ/с. Энергоэффективный SSD, надежный термоконтроль, с радиатором.
№: 825320
Объём 256 Гб. Форм-фактор 2.5". Интерфейс SATA III 6Гбит/сек. Память 3D TLC. Скорость чтения/записи до 560/540 Мб/с. Наработка на отказ 1.5 млн часов. Макс. ресурс записи 180 TBW.