Автозаводская
Модули памяти
№: 956617
№: 1031021
Объём памяти: 16 Гб. Тип памяти: DDR4. Пропускная способность: 25600 Мб/с. CAS Latency (CL): 22. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Напряжение питания: 1,2 В.
Дадим от 1200 рублей!Купить в кредит
№: 1024950
16 Гб, SODIMM, DDR5, 4800 МГц (PC5 38400). Латентность: CL40. Напряжение питания: 1.1 В. Тип чипа: 2G x 8. Количество чипов памяти: 8. Количество контактов модуля: 262. Одноранговая (Single Rank).
Дадим от 1200 рублей!Купить в кредит
№: 1022018
16 Гб (2х8 Гб), DIMM, DDR5, 6000 МГц (PC5 48000). Тайминги: 36.38.38. Напряжение питания: 1.35 В. Количество контактов модуля: 288. Размеры модуля: 133.35х34.9х6.62 мм. Поддержка OnDie ECC. Поддержка EXPO v1.0, XMP 3.0.
Дадим от 1200 рублей!Купить в кредит
№: 980980
№: 875898
№: 956620
№: 813779
8 Гб. DIMM, DDR3, 1333 МГц (PC3 10600). Латентность: CL9. Напряжение питания: 1.5 В. Количество контактов модуля: 240. Тип чипа: 512*8. Двухранговая (dual rank).
Дадим от 1200 рублей!Купить в кредит
№: 863482
DIMM, DDR-4. Тактовая частота 3200 МГц. Пропускная способность 25600 Мб/с. Напряжение питания 1.35 В.
Дадим от 1200 рублей!Купить в кредит
№: 720767
8 Гб, SODIMM, DDR3, 1600 МГц (PC3 12800). Тайминги: 11 11 11 28. Напряжение питания: 1.5 В. 204 контакта. Небуферизованная. NonECC.
Дадим от 1200 рублей!Купить в кредит
№: 1030276
Тип памяти: DDR5. Емкость: 32 ГБ (16 ГБx2). Проверенная скорость (XMP/EXPO): 6000 МТ/с. Проверенная задержка (XMP/EXPO): 32-38-38-96. Напряжение SPD (по умолчанию): 1,1 В. Особенности: поддержка профиля AMD EXPO. Подсветка. Радиатор.
Дадим от 1200 рублей!Купить в кредит
№: 948221
№: 954361
№: 931380
Форм-фактор: SO-DIMM. Тип памяти: DDR3. Объём памяти: 8 Гб. Тактовая частота: 1600 МГц. Пропускная способность: 12800 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 11, RAS to CAS Delay (tRCD): 11, Row Precharge Delay (tRP): 11, Activate to Precharge Delay (tRAS)...
Дадим от 1200 рублей!Купить в кредит
№: 980953
Тип памяти DDR3L. Форм-фактор памяти DIMM. Объем модуля памяти 8 ГБ. Тактовая частота 1600 МГц. CAS Latency (CL) 11. RAS to CAS Delay (tRCD) 11. Row Precharge Delay (tRP) 11. Высота 30 мм. Напряжение питания 1.35 В.
Дадим от 1200 рублей!Купить в кредит
№: 908061
8 Гб, SODIMM, DDR4, 3200 МГц (PC4 25600). Тайминги: 22.22.22.52. Напряжение питания: 1.2 В. Одноранговая (Single Rank). Количество контактов модуля: 260. Небуферизованная. nonECC.
Дадим от 1200 рублей!Купить в кредит
№: 1002242
Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR4. Объём памяти: 32 Гб. Тактовая частота: 3600 МГц. Пропускная способность: 28800 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 16. RAS to CAS Delay (tRCD): 19. Row Precharge Delay (tRP): 19. Activate to Precharge Delay (tRAS): ...
Дадим от 1200 рублей!Купить в кредит