Модули памяти
Форм-фактор: SO-DIMM. Тип памяти: DDR4. Объём памяти: 8 Гб. Тактовая частота: 3200 МГц. Пропускная способность: 25600 Мб/сек. Тайминги: CAS Latency (CL): 22. Напряжение питания: 1,2 В.
Форм-фактор: DIMM. Тип: DDR4. Объём: 8 Гб. Тактовая частота: 2666 МГц. Пропускная способность: 21300 Мб/сек. Тайминги: CAS Latency (CL): 19, RAS to CAS Delay (tRCD): 19, Row Precharge Delay (tRP): 19, Activate to Precharge Delay (tRAS): 43. Питание: ...
Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR5. Объем памяти: 32 Гб (2×16 Гб). Тактовая частота: 6800 МГц. Тайминги: CL34 (34-45-45-108). Напряжение питания: 1,4 В. Радиатор. Подсветка: RGB.
Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR5. Объем памяти: 32 Гб (2×16 Гб). Тактовая частота: 6000 МГц. Тайминги: CL30 (30-38-38-76). Напряжение питания: 1,35 В.
Объем памяти: 64 Гб (2×32 Гб). Тактовая частота: 6000 МГц. Тайминги: CL30 (30-38-38-76). Напряжение питания: 1,35 В.
DDR4, 8 ГБx2 шт., 4000 МГц, 19-23-23-45.
DDR4, 16 ГБx2 шт, 3200 МГц, 16-20-20-38.
DDR4, 8 ГБx2 шт, 4000 МГц, 18-22-22-42.
DDR4, 8 ГБx2 шт, 3600 МГц, 18-22-22-42.
Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR4. Объём памяти: 32 Гб. Тактовая частота: 4400 МГц. Пропускная способность: 35200 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 17. RAS to CAS Delay (tRCD): 18. Row Precharge Delay (tRP): 18. Activate to Precharge Delay (tRAS): ...
Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR4. Объём памяти: 32 Гб. Тактовая частота: 4000 МГц. Пропускная способность: 32000 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 18. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Activate to Precharge Delay (tRAS): ...


















