16 Гб, DIMM, DDR5, 6800 МГц (PC5 54400). Тайминги: 36.42.42. Напряжение питания: 1.4 В. Количество контактов модуля: 288. Размеры модуля: 133.35 х 44 х 7.66 мм. Поддержка OnDie ECC. Поддержка XMP 3.0. Алюминиевый теплоотвод. RGB подсветка.

Тип памяти DDR4 (288pin) DIMM. Емкость 16GB. Частота 2666MHz. Тайминги (CAS Latency) CL16. Контроль четности Non-ECC. Буферизация Unbuffered. Ранки Dual Rank (2R). Архитектура x8. Напряжение 1.2V.

  

  

  

Оперативная память - это неотъемлемая часть вашего компьютера, благодаря ей обеспечивается многозадачность и мощность. Модуль памяти Patriot Memory DDR4 DIMM 2133MHz PC4-17000 - 8Gb PSD48G213381 позволит значительно увеличить производительность вашег...

  

Форм-фактор: SO-DIMM. Тип памяти: DDR3. Объём памяти: 8 Гб. Тактовая частота: 1600 МГц. Пропускная способность: 12800 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 11, RAS to CAS Delay (tRCD): 11, Row Precharge Delay (tRP): 11, Activate to Precharge Delay (tRAS)...

  

  

  

  

Суммарный объем памяти: 32 ГБ. Тип памяти: DDR4. Пропускная способность: 32000 Мб/с. Тактовая частота: 4000 МГц. Форм-фактор RAM: DIMM. Радиатор. CAS Latency (CL): 18 тактов. Тайминги: 18.

DDR4, 16 ГБx1 шт., 3200 МГц, PC25600, тайминги: 22-22-22.

Оперативная память AMD Radeon R7 Performance Series [R748G2606U2S] 8 ГБ разработана для игровых компьютеров. Она выполнена с применением лучших элементов.

Тип памяти DDR3. Форм-фактор памяти DIMM. Объем памяти 8 ГБ. Тактовая частота 1600 МГц. Низкопрофильная (Low Profile). Напряжение питания 1.5 В. Тайминги: CAS Latency (CL) 11, RAS to CAS Delay (tRCD) 11,  Row Precharge Delay (tRP) 11, Activate to Pre...

Форм-фактор: DIMM. Тип: DDR5. Объём: 16 Гб. Т/ч: 5200 МГц. Пропускная способность: 41600 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 36. RAS to CAS Delay (tRCD): 40. Row Precharge Delay (tRP): 40. Поддержка XMP: 3.0, EXPO. Радиатор. Подсветка.